IGBT驱动板
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盛世彩票快乐飞艇 IHW15N120R3参数及替换资料

BEE 时间:2019-03-11 16:31

IHW15N120R3 
  IHW15N120R3 IGBT单管,最大连续集电极电流30A,最大集电极-发射极电压1200V,3引脚,TO-247封装。具有低VCEsat,低电磁干扰,高硬度,温度稳定的特点,应用于电磁炉、逆变微波炉、谐振转换器及软开关应用。
 
IHW15N120R3特性
低正向电压集成体二极管,适合软开关应用
最佳的参数分配
硬度高,温度稳定
VCEsat 正温度特性,适合并联使用
低电磁干扰
符合JEDEC的应用要求
符合无铅标准;符合 RoHS 标准
 
IHW15N120R3应用
•电磁炉
•逆变微波炉
•谐振转换器
 •软开关应用
 
IHW15N120R3技术参数资料
制造商: Infineon
产品种类: IGBT晶体管
RoHS: 符合  
技术: Si
封装/箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
通道类型:N
集电极-发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极-射极饱和电压: 1.48 V
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
在25℃的连续集电极电流: 30 A
Pd-功率耗散: 254 W
最小工作温度: - 40℃ 
最大工作温度: + 175℃ 
最大功率耗散:254 W
开关速度:60kHz
封装: Tube
栅极-射极漏泄电流: 100 nA  
尺寸:16.13 x 5.21 x 21.1mm
产品类型: IGBT Transistors  
工厂包装数量: 240  
子类别: IGBTs  
零件号别名: IHW15N120R3FKSA1 IHW15N12R3XK SP000521590
 
IHW15N120R3封装尺寸
IHW15N120R3封装尺寸 
 
IHW15N120R3替换资料
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HG15140HR1 主要参数
IHW15N120R3封装尺寸 
 
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