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快乐飞艇游戏平台 IXYS IGBT单管及模块选型大全

作者:海飞乐技术 时间:2018-05-22 23:04

  IGBT 是 “Insulated Gate Bipolar Transistor”的缩写,即“绝缘栅双极晶体管”,在结构和性能上都可以把它等效成一个沟道型场效应管和一个双极性晶体管的组合,从输入端看,是一个高阻的VMOS,从输出端看,是一个大功率的双极型。IGBT 主要用于工业控制,如电机驱动、高频感应电源等。高压供电条件下,20~50kHz 的硬开关是 IGBT 的主要应用领域。最常见的应用是电磁炉。与 VMOS 不同,IGBT 的电路原理图符号中一般并不画出二极管(MOS 区寄生的二极管) ,如果符号中的集电极和发射极之间并联了二极管,则表示是额外集成了快恢复二极管。这个快恢复二极管在一般电路中可以充当续流二极管使用,电路中可以不必再并联高速二极管,从而简化了电路连接。
 
   一. IGBT模块选型需要的主要参数和术语
   ◆ Vces:栅极与发射极等电位,集电极 - 发射极之间所能承受的最大直流电压,如果有快恢复二极管,指的是反向电压,属于极限参数
   ◆ Ic:IGBT 处于饱和导通状态,集电极 - 发射极所能承受的最大直流电流,属于极限参数,测试时不用散热片,通电时间一般是10s 以内。这个参数与散热片。(管子底板而非外挂的散热器)温度有直接关系,比较通用的是25℃,为了更近实际,很多厂商会同时给出75℃、90℃、120℃等温度下的一种或多种数值。温度标识是 Tc,表示集电极的温度 (集电极与管子底板相连)。
   ◆ Vce(sat):饱和压降,IGBT饱和导通时集电极 -发射极之间的电压差,这个数值越。?得鱅GBT的导通功耗越小。
   ◆ t fi :关断时间,表示IGBT开关速度的一个参数。指的是以一定频率的脉冲信号对 IGBT 的开关特性进行测试时,输出脉冲的下降沿的宽度。
   ◆ If :集成的快恢复二极管正向能承受的最大正向直流电流,属于极限参数,对非纯阻性电路的设计有参考意义。
   ◆ tr :集成的快恢复二极管的反向恢复时间,表示快恢复二极管开关速度的参数,也标识为trr。如IXYS 的IGBT,字母后缀包含D1的,一般表示内部集成快恢复二极管,集成有快恢复二极管的系列型号除外。例如:IXGC16N60B2中没有快速恢复二极管,而IXGC16N60B2D1 中则有快恢复二极管,IXYS IGBT其他规格相同。
   ◆ VGE :IGBT饱和导通时栅极所需要的最小电压(典型值)。
   ◆ NPT IGBT和PT IGBT:NPT是“Non -Punch-Through”的缩写,指IGBT的芯片生产工艺中的离子注入工艺,IXYS的NPT工艺已经发展到了第三代, 即NPT3 。NPT IGBT的中文意思是 “单晶非穿通型IGBT” ,常简写为“非穿通型 IGBT” ,更常见的写法仍然是“NPT IGBT”。NPT工艺是90年代发展起来的,与之前主流的PT IGBT(穿通型 IGBT)相比,NPT IGBT的开关损耗下降了20%,安全工作区(SOA)、短路承受能力、可靠性都相应有所提高,已经成为600V以上IGBT 器件的主流生产工艺。2008 年, IXYS 发布了最新的用于高压、高速 IGBT 制程的 XPT (Xtreme light PunchThrough) ,中文大意是超乎想像的 NPT 工艺。
   ◆ co-pack: 一种不同种类多管芯封装工艺,“co-”有共同, 联合之意,对于 IGBT,一般是指将IGBT和快恢复二极管两种不同的管芯封装到一个单管中的方法,也写作co-packaged。需要说明的是,co-pack并不是唯一的多管芯封装方法,它只是一种广泛应用的方法,尤以IR为甚。
   ◆ Sonic快恢复二极管:Sonic-FRD,IXYS推出超快速二极管:Sonic-FRD, 主要特点:很高的 di/dt 能力,良好的软恢复特性, 反向恢复时间极短,拖尾电流非常。?泻芎玫母呶挛榷ㄐ,比较易于并联。
 
  二   IXYS 高速 PT IGBT型号参数 (按Ctrl+F查找型号)
  1、IXYS 低饱和压降IGBT单管
IXYS 低饱和压降IGBT单管


2、 IXYS 中速系列 IGBT 单管(可适用15kHz-40kHz的硬开关)型号参数
IXYS 中速系列 IGBT 单管


3、 IXYS中速系列集成快恢复二极管的IGBT单管(可适用 15kHz-40kHz 的硬开关)型号参数
IXYS中速系列集成快恢复二极管的IGBT单管


4. ixys高速系列 IGBT 单管型号参数(可以适用 40kHz 以上的硬开关电路)
ixys高速系列 IGBT 单管型号参数


三、 高峰值电流耐受能力的 PT IGBT
1、IXYS低饱和压降系列型号参数
IXYS低饱和压降系列型号参数

 
2、 IXYS高速系列型号参数
 IXYS高速系列型号参数


四、 IXYS集成反向阻断二极管的 IGBT 单管型号参数
IXYS集成反向阻断二极管的 IGBT 单管型号参数


五、 IXYS采用 Co-Pack 封装、 集成快恢复二极管的高速 IGBT型号参数
IXYS采用 Co-Pack 封装、 集成快恢复二极管的高速 IGBT型号参数


六、 IXYS采用第三代 NPT 工艺的 NPT3 IGBT型号参数
IXYS采用第三代 NPT 工艺的 NPT3 IGBT型号参数


七、IXYS NPT IGBT型号参数
IXYS NPT IGBT型号参数


八、 高压 NPT IGBT
1.IXYS 低饱和压降系列型号参数
IXYS 低饱和压降系列型号参数


2.ixys集成 SONIC 快恢复二极管的低饱和压降系列型号参数
ixys集成 SONIC 快恢复二极管的低饱和压降系列型号参数


3、 IXYS 高速系列 IGBT型号参数
IXYS 高速系列 IGBT型号参数


4、 IXYS集成 SONIC 快恢复二极管的高速系列 IGBT型号参数
 IXYS集成 SONIC 快恢复二极管的高速系列 IGBT型号参数


九、 IXYS超高压 NPT IGBT 单管型号参数
 IXYS超高压 NPT IGBT 单管型号参数


十、 IXYS采用 5 引脚 ISOPLUS i4-PAC 封装的 NPT IGBT 模块型号参数
IXYS采用 5 引脚 ISOPLUS i4-PAC 封装的 NPT IGBT 模块型号参数


十一、 IXYS BiMOSFET 系列 IGBT型号参数
 IXYS BiMOSFET 系列 IGBT型号参数

 
  十二、IXYS IGBT 封装形式大全
IXYS IGBT模块封装一览
IXYS IGBT模块封装一览



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