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快乐飞艇规律 赛米控IGBT模块命名规律 赛米控型号数字字母含义

作者:海飞乐技术 时间:2017-07-26 15:06

  如型号SKM100GB123DL 为了区分和更好的对比我们把该型号分为八个单元—第一单元“SK”,第二单元“M”,第三单元“D”,第四单元“G”,第五单元“B”,第六单元“12”,第七单元“3”,第八单元“D”和“L”。
  第一单元:SK表示SEMIKRON元件。
  第二单元:M表示:MOS技术。
           D表示七单元模块(三相整流桥加IGBT斩波器)
  第三单元:“100”表示集电路电流等级(Tcase=25℃时的Ic/A)。
  第四单元:“G”表示IGBT开关。
  第五单元:“A”表示单只开关。
           “AL”表示斩波器模块(igbt加集电极端续流二极管)。
           “AR”表示斩波器模块(igbt加发射极端续流二极管)。
           “AH”表示非对称H桥。
           “AY”表示单只IGBT加发射极端串联二极管(反向阻断)。
           “AX”表示单只IGBT加集电极端串联二极管(反向阻断)。
           “B”表示两单元模块(半桥)。
           “BD”表示两单元模块(半桥)加串联二极管(反向阻断)。
           “D”表示六单元(三相桥)。
           “DL”表示七单元(三相桥加AL斩波器)。
           “H”表示单相全桥。
           “M”表示两只IGBT在集电极端相连。
  第六单元:“12”代表集电极发射极电压等级(VCE/V/100)
  第七单元:IGBT系列号
           “0”表示第一代IGBT产品(1988-1991,集电极额定电流为Tcase=80℃时值)
           “1”、“2”表示第一代IGBT产品(1992-1996,集电极额定电流为Tcase=25℃时值);600V产品:集电极额定电流为Tcase=80℃时值。
           “3”表示第二代IGBT产品(600V和1200V:高密度NPT型IGBT);1700V为第一代NPT型IGBT.CAL二极管。600V产品:集电极额定电流为Tcase=80℃时值。1200V与1700V产品:集电极额定电流为Tcase=25℃时值。
           “4”表示高密度、低:脱菇礜PT型IGBT(1200V、1700V)。
           “5”表示高密度、高速NPT型IGBT(600V、1200V)。
           “6”表示沟道式NPT型IGBT。
  第八单元:表示IGBT模块特点,
           “D”表示快速回复二极管。
           “K”表示SEMIKRON五号外壳带螺栓端子。
           “L”表示六单元外壳带焊接端子。




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